24日，中国科学院微电子量度所通过公众号发布讣告：

中国共产党党员，中国科学院院士，我国隆起的微电子科学家，中国科学院微电子量度所量度员，原中国科学院微电子中心主任，第九届、第十届宇宙东说念主民代表大会常务委员会委员吴德馨同道，因病医治无效，于2026年3月23日13时15分在北京陨命，享年90岁。

千里悼惜念并潜入追究吴德馨院士！

同日，吴德馨院士治丧委员会发文先容吴德馨同道生平：

吴德馨同道1936年12月生于河北乐亭，1979年6月加入中国共产党，1961年毕业于清华大学无线电电子工程系，成为清华大学第一批半导体专科毕业生。毕业后被分派至中国科学院半导体量度所责任，1986年调入中国科学院微电子中心（现中国科学院微电子量度所）责任于今，M6体育历任助理量度员、量度员、中心副主任、主任，1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。先后荣获国度科技逾越二等奖、北京市科学技艺一等奖、中国科学院科技逾越一等奖、何梁何利基金科学与技艺逾越奖等多个紧要奖项。

吴德馨同道是我国半导体与集成电路量度的开发者之一，为国度微电子行状发展作念出了超卓孝敬。在半导体所责任时刻，她行为课题负责东说念主承担了自若初期“12年科学贪图”中的“平面型高速开关晶体管的量度”，自给自足地贬责了进步开关速率的关节问题，开关速率达到那时外洋同类产物水平。该技艺在中国科学院109厂和上海器件五厂进行了试验，突破了西方国度对我国的封闭，为“两弹一星”配套的“109丙”计较机提供了中枢器件，NBA篮球下注app最新版产生了要害的经济和社会效益，获宇宙新产物一等奖。

1986年，吴德馨同道调入中国科学院微电子中心任副主任、量度员。行为主要负责东说念主从事N沟MOS 4K、16K和64K动态就地存储器（DRAM）的工艺量度，初度在国内收效研制出4K、16K位DRAM。收效成立出双层多晶硅和差值氧化工艺，突破了我国大领域集成电路制品率历久低下的场地，为我国集成电路的工业分娩奠定了基础。

1991年，吴德馨同道担任中国科学院微电子中心主任。她斗胆纠正、极力翻新，积极探索新的科研和成立领域，带领成立了0.8微米CMOS全套工艺，科研效果和产物成立等效益不停加多，始创了微电子中心发展的新场地。

离开带领岗亭的吴德馨并未缓慢科学量度，她带领科研东说念主员收效研制0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结场效应晶体管，在国内初度收效研制出全功能砷化镓/铟镓磷HBT 10Gbps光纤通讯光放射运行电路。

任宇宙东说念主大常委会委员时刻，吴德馨同道精采履行职能，积极建言献计，屡次向中央带领陈说微电子技艺的发展趋势并建议建议，屡次进入国度和中国科学院发展贪图的制定，屡次主握握管两院院士对国度集成电路发展盘考陈说的撰写等责任，有劲鼓舞了我国半导体行状的发展。

吴德馨同道将六十余载光阴一齐奉献给故国的半导体与微电子行状，用一世解说了爱国奉献、严谨务实的科学家精神。她的陨命是我国微电子学界和科技行状的要害亏蚀。她的娴雅品德、治学精神与超卓孝敬，将历久记得在咱们心中。

吴德馨同道千古！

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